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PTB schafft Durchbruch bei Magnetic RAM

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    PTB schafft Durchbruch bei Magnetic RAM

    Die Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) hat ein Patent angemeldet, mit dem es gelingt, die Geschwindigkeit von Magnetic-RAM Bausteinen drastisch zu steigern. Damit erreichen diese Speicherbausteine konkurrenzfähige Geschwindigkeiten beim lesen und schreiben der Informationen. MRAM benötigt im Gegensatz zu den heutzutage verbauten SRAM/DRAMs keine Spannung zur Informationserhaltung.

    Zitat:

    Die heute üblichen schnellen Computerspeicherchips wie DRAM und SRAM (Dynamic bzw. Static Random Access Memory) haben einen entscheidenden Nachteil: Bei Unterbrechung der Stromversorgung gehen die darauf gespeicherten Informationen unwiderruflich verloren. Abhilfe verspricht das MRAM. Darin wird die digitale Information nicht in Form elektrischer Ladung gespeichert, sondern über die magnetische Ausrichtung von Speicherzellen (Magnetspins). MRAM sind sehr universelle Speicherchips, denn sie erlauben neben der nichtflüchtigen Informationsspeicherung auch einen schnellen Zugriff, eine hohe Integrationsdichte sowie eine unbeschränkte Anzahl von Schreib- und Lesezyklen.

    Weiterlesen
    http://idw-online.de/de/news412364
    Nierentische waren auch mal Science-Fiction...
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